单光子雪崩二极管选购指南：精准适配微弱光探测需求

　　单光子雪崩二极管（SPAD）作为工作在盖革模式的高灵敏度光电探测器，核心用于捕获单个光子信号并实现雪崩倍增，广泛适配激光雷达、量子通信、医学影像等领域。选购需聚焦核心性能参数、波段适配性、场景兼容性三大维度，规避性能误配、成本浪费等问题，精准匹配微弱光探测需求，以下为核心选购要点。

　　1.核心性能参数是选购核心依据，直接决定探测精度。光子探测效率（PDE）需与目标波段匹配，硅基SPAD在可见光至近红外波段表现优异，某型号在1300-1550nm短波红外波段PDE可达30%以上，适配激光雷达远距离探测。暗计数率（DCR）需优先选择低数值型号，室温下260Hz级低DCR可减少噪声干扰，高过偏压场景需确认DCR抑制能力。时间特性方面，皮秒级响应速度适配超快探测需求，死时间需与应用频率匹配，避免信号漏检。

　　2.单光子雪崩二极管波段与结构选型需贴合应用场景。短波长探测优先选硅基P-on-N结构SPAD，长波长及红外场景可选用Ge-on-Si型，其与CMOS工艺兼容性强，适合阵列集成。单点SPAD适配低集成度需求，阵列型适合激光雷达成像、3D传感等场景，需关注像素均匀性与击穿电压偏差。封装形式方面，金属、陶瓷封装适配工业恶劣环境，表面贴装型适合小型化设备集成。

　　3.环境适应性与系统兼容性不可忽视。温度稳定性方面，SPAD增益随温度升高而降低，需确认是否具备温度补偿功能，室温工作型号可规避复杂制冷系统，降低集成成本。偏压特性需匹配驱动电路，过偏压设置直接影响DCR与PDE，建议选择击穿电压稳定、支持宽范围过偏压调节的型号。抗干扰能力需适配应用场景，强光环境需强化抗串扰设计，确保探测精度不受外部光干扰。

　　4.单光子雪崩二极管成本与品质需综合权衡。科研场景（量子通信、极限灵敏度探测）可选择SNSPD，但需接受低温与高成本；激光雷达、消费电子等量产场景，硅基性价比更优，优先选择索尼、知芯半导体等技术成熟厂商产品。同时核查淬灭电路适配性，被动淬灭结构简单成本低，主动淬灭响应更快，需结合响应速度需求选择。遵循以上要点，可精准选出适配场景的SPAD，大化发挥微弱光探测性能优势。