FL 26BW长曝光制冷CMOS相机
简要描述：FL 26BW 长曝光制冷CMOS相机鑫图光电新一代深度制冷系列的核心产品，专为长曝光成像需求打造，融合索尼最新背照式 CMOS 探测器、鑫图先进制冷密封工艺与图像降噪技术，在超长曝光性能上达到深度制冷 CCD 水平，同时在视野、成像速度、动态范围等维度全面超越传统 CCD，可替代制冷 CCD 应用于各类长曝光场景，在高级显微成像、工业检测等领域拥有广阔应用前景。
详细介绍
FL 26BW 是鑫图光电新一代深度制冷系列的核心产品，专为长曝光成像需求打造，融合索尼最新背照式 CMOS 探测器、鑫图先进制冷密封工艺与图像降噪技术，在超长曝光性能上达到深度制冷 CCD 水平，同时在视野、成像速度、动态范围等维度全面超越传统 CCD，可替代制冷 CCD 应用于各类长曝光场景，在高级显微成像、工业检测等领域拥有广阔应用前景。
核心性能优势
超优长曝光成像表现
相机暗电流低至 < 0.0005 e-/p/s，搭配精准的温度控制技术，可将芯片制冷温度稳定锁定在 - 25℃（室温 22℃环境下），即使在长达 30 分钟的超长曝光拍摄中，成像信噪比仍优于典型深度制冷 CCD（ICX695），解决长曝光下的热噪声干扰问题。
成像背景均一，适配精准定量分析
集成索尼背照式芯片的优异辉光抑制能力与鑫图自研图像降噪处理技术，从硬件到算法双重优化，基本杜绝边角亮光、坏点像素等成像瑕疵，即使 600s 长曝光下，图像背景仍保持佳均一性，为生物、化学等领域的定量分析提供精准、可靠的成像数据。
索尼科学级芯片加持，综合性能拉满
搭载索尼 IMX571BLR-J 背照式（BSI）CMOS 科学级芯片，峰值量子效率高达 92%（@460 nm），弱光环境下的光子捕捉与转化能力突出；读出噪声可低至 0.9 e-，弱光成像能力远超传统 CCD；动态范围达到 16000:1，是传统 CCD 的 4 倍以上，可同时捕捉高亮度与低亮度区域的细节，大幅拓展信号测量范围。
详细技术参数
FL 26BW 为黑白制冷 CMOS 相机，核心参数与硬件配置均对标专业级科学成像需求，具体参数如下：
| 参数类别 | 具体指标 |
| 芯片核心 | 芯片类型：BSI CMOS 芯片型号：SONY IMX571BLR-J 对角线尺寸：28.3 mm (1.8") 有效面积：23.4 mm x 15.6 mm 像素大小：3.76 μm × 3.76 μm 分辨率：6244（H） × 4168 (V) |
| 成像性能 | 峰值量子效率：92 % @ 460 nm 暗电流：< 0.0005 e-/p/s 位深：16 bit 增益模式：Gain 0/Gain 1/Gain 2/Gain 3 满阱容量：50 ke- @ Gain 0、15 ke- @ Gain 1、7.8 ke- @ Gain 2、3 ke- @ Gain 3 读出噪声：2.7 e- @ Gain 0、1.0 e- @ Gain 1、0.95 e- @ Gain 2、0.85 e- @ Gain 3 帧率：6.5 fps 快门类型：卷帘 曝光时间：34 μs ~ 60 min |
| 图像优化 | 图像校正：DPC ROI：支持 Binning：2 x 2/3 x 3/4 x 4/5 x 5/6 x 6/8 x 8/16 x 16 |
| 制冷系统 | 制冷方式：风冷 制冷温度：-25 ℃ @ 室温（22 ℃） |
| 触发与接口 | 触发模式：硬件 / 软件 触发输出：曝光开始 / 全局 / 读出结束 / 高电平 / 低电平 触发接口：Hirose SDK：C/C++/C# 数据接口：USB 3.0 光学接口：M42，支持用户定制 |
| 供电与规格 | 电源：12 V / 8 A 功耗：≤ 55 W 相机尺寸：85 mm x 85 mm x 97 mm 重量：945 g |
| 运行环境 | 操作系统：Windows / Linux 工作环境：温度 0~40 °C、湿度 10~85 % 储存环境：温度 -10~60 ℃、湿度 0~85 % |
典型应用方向
依托出色的长曝光成像、弱光捕捉与定量分析能力，FL 26BW 可广泛应用于生物与化学检测、显微成像等专业领域，核心应用场景包括：
- 生物芯片成像分析
- 化学发光检测
- 数字聚合酶链式反应（dPCR）
- 荧光成像
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